IKD06N60RFAATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IKD06N60RFAATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IKD06N60RFAATMA1
Codice DigiKey	IKD06N60RFAATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IKD06N60RFAATMA1
Descrizione	IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench 600 V 12 A 100 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	Trench
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) max	12 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	18 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,5V a 15V, 6A
Potenza - Max	100 W
Energia di commutazione	90µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	48 nC
Td (on/off) a 25°C	8ns/105ns
Condizione di test	400V, 6A, 23ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	48 ns
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3