Name: IKN03N60RC2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IKN03N60RC2ATMA1TR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

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IKN03N60RC2ATMA1
Codice DigiKey	448-IKN03N60RC2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IKN03N60RC2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IKN03N60RC2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IKN03N60RC2ATMA1
Descrizione	IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 600 V 5.7 A 6.3 W A montaggio superficiale PG-SOT223-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IKN03N60RC2ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) max	5.7 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	9 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,3V a 15V, 3A
Potenza - Max	6.3 W
Energia di commutazione	62µJ (on), 44µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	18 nC
Td (on/off) a 25°C	7ns/77,5ns
Condizione di test	400V, 3A, 49ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	38 ns
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-261-3
Contenitore del fornitore	PG-SOT223-3-1
Codice componente base	IKN03N

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Nastrato in bobina (TR)