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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPD80R2K8CEBTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R2K8CEBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Fuori produzione presso Digi-Key | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,8ohm a 1,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 120µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
0 in magazzino
Svizzera