Name: IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND
Price: 4.49696 CHF
Availability: OutOfStock

Canale N 1700 V 5,2 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-13

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IMBF170R1K0M1XTMA1
Codice DigiKey	448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBF170R1K0M1XTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 5,2 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-13
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMBF170R1K0M1XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 1,1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5 nC @ 12 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +20V, -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 275 pF @ 1000 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-13
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,2 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 12V, 15V	Codice componente base IMBF170
RDSon (max) a Id, Vgs 1000mohm a 1A, 15V