
IMT65R163M1HXUMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMT65R163M1HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R163M1HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R163M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R163M1HXUMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 650 V A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMT65R163M1HXUMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | - | |
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | - | |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | - | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Vgs (max) | - | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | - | |
Temperatura di funzionamento | - | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.73000 | Fr. 3.73 |
| 10 | Fr. 2.46500 | Fr. 24.65 |
| 100 | Fr. 1.76420 | Fr. 176.42 |
| 500 | Fr. 1.62926 | Fr. 814.63 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 1.47408 | Fr. 2’948.16 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.73000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.03213 |









