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IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R007M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-U06 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMW65R007M2HXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 6,1mohm a 146,3A, 20V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 5,6V a 29,7mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 179 nC @ 18 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) +23V, -7V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6359 pF @ 400 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-U06 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Contenitore/involucro |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 27.86000 | Fr. 27.86 |
| 30 | Fr. 18.06733 | Fr. 542.02 |
| 120 | Fr. 15.92817 | Fr. 1’911.38 |
| 510 | Fr. 14.36357 | Fr. 7’325.42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 27.86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 30.11666 |
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