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IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R015M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 93 A (Tc) 341W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-40 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 13mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 79 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2792 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 341W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-40 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 13,2mohm a 64,2A, 20V |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 14.01000 | Fr. 14.01 |
| 30 | Fr. 8.67067 | Fr. 260.12 |
| 120 | Fr. 7.50142 | Fr. 900.17 |
| 510 | Fr. 7.04314 | Fr. 3’592.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 14.01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 15.14481 |
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