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IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R020M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-40 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 46,9A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 9,5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 57 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2038 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 273W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | PG-TO247-3-40 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 286
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 11.03000 | Fr. 11.03 |
| 30 | Fr. 6.72767 | Fr. 201.83 |
| 120 | Fr. 5.82892 | Fr. 699.47 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 11.03000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 11.92343 |
Svizzera