Name: IMZC120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Price: 16.96089 CHF
Availability: InStock

Canale N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17

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IMZC120R022M2HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZC120R022M2HXKSA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Tempi di consegna standard del produttore	69 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMZC120R022M2HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 32A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,1V a 10,1mA
Serie CoolSiC™ G2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 71 nC @ 18 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2330 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 329W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO247-4-17
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro TO-247-4

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 15.69000	Fr. 15.69
30	Fr. 9.67300	Fr. 290.19
120	Fr. 8.35550	Fr. 1’002.66
510	Fr. 7.39141	Fr. 3’769.62
1’020	Fr. 7.04004	Fr. 7’180.84

Contenitore standard del produttore

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