IXTP12N65X2M è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Diretto


Rohm Semiconductor
In magazzino: 373
Prezzo unitario : Fr. 3.36000
Scheda tecnica

Diretto


STMicroelectronics
In magazzino: 358
Prezzo unitario : Fr. 2.78000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’814
Prezzo unitario : Fr. 3.04000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 430
Prezzo unitario : Fr. 2.09000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.46000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.55000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 325
Prezzo unitario : Fr. 2.10000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 160
Prezzo unitario : Fr. 5.71000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 923
Prezzo unitario : Fr. 5.81000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 603
Prezzo unitario : Fr. 4.02000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 3.59000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’170
Prezzo unitario : Fr. 3.32000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.79376
Scheda tecnica
Canale N 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante Linguetta isolata TO-220
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IXTP12N65X2M

Codice DigiKey
IXTP12N65X2M-ND
Produttore
Codice produttore
IXTP12N65X2M
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante Linguetta isolata TO-220
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
Linguetta isolata TO-220
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 1’550
Verifica i tempi di consegna

Si riferisce a scorte disponibili presso il fornitore, che potrebbero essere a disposizione di DigiKey alla ricezione di un ordine.

Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
300Fr. 1.82193Fr. 546.58
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.82193
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.96951