IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPB015N04LGATMA1
Codice DigiKey	IPB015N04LGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB015N04LGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB015N04LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB015N04LGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB015N04LGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 200µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 346 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 28000 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IPB015
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 100A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFS7434TRLPBF	Infineon Technologies	6’250	IRFS7434TRLPBFCT-ND	Fr. 2.57000	Simile
BUK661R9-40C,118	Nexperia USA Inc.	1’125	1727-5518-1-ND	Fr. 3.76000	Simile
FDB9406-F085	onsemi	377	FDB9406-F085CT-ND	Fr. 3.32000	Simile
IXTA120N04T2	IXYS	0	IXTA120N04T2-ND	Fr. 1.28603	Simile
PSMN1R1-40BS,118	Nexperia USA Inc.	765	1727-7105-1-ND	Fr. 3.65000	Simile