FDB9406-F085 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDB9406-F085
Codice DigiKey	FDB9406-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB9406-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB9406-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB9406-F085 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 138 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7710 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 176W (Tj)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 80A, 10V	Codice componente base FDB9406
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (13)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NVMYS1D3N04CTWG	onsemi	3’845	NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND	Fr. 2.47000	Consigliato dal produttore
BUK761R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7133-2-ND	Fr. 1.69056	Simile
BUK961R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	3’150	1727-1895-1-ND	Fr. 4.17000	Simile
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	18	IPB015N04LGATMA1CT-ND	Fr. 4.45000	Simile
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	326	IPB015N04NGATMA1CT-ND	Fr. 4.35000	Simile

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FDB9406-F085