IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPB015N04NGATMA1
Codice DigiKey	IPB015N04NGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB015N04NGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB015N04NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB015N04NGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB015N04NGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 200µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 250 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20000 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB015
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 100A, 10V

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Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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