Name: IPB020N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 6.486 CHF
Availability: InStock

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IPB020N10N5LFATMA1
Codice DigiKey	IPB020N10N5LFATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB020N10N5LFATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB020N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB020N10N5LFATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 176 A (Tc) 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB020N10N5LFATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,1V a 270µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 195 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 840 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 176 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB020
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 100A, 10V