Canale N 80 V 100 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
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Canale N 80 V 100 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB035N08N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB035N08N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB035N08N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB035N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB035N08N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 100 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB035N08N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,5V a 155µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
117 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8110 pF @ 40 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
214W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
3,5mohm a 100A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB031N08N5ATMA1Infineon Technologies9’197IPB031N08N5ATMA1CT-NDFr. 3.19000Consigliato dal produttore
FDB86366-F085onsemi112FDB86366-F085CT-NDFr. 2.90000Simile
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.7’1511727-7107-1-NDFr. 3.92000Simile
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.1’0691727-7108-1-NDFr. 3.13000Simile
STB160N75F3STMicroelectronics842497-7937-1-NDFr. 4.66000Simile
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.39000Fr. 4.39
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100Fr. 2.08570Fr. 208.57
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.39000
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