


IPB038N12N3GATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB038N12N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB038N12N3GATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 120 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,8mohm a 100A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 270µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 211 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 13800 pF @ 60 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 3.28000 | Fr. 3.28 |
10 | Fr. 1.94200 | Fr. 19.42 |
100 | Fr. 1.89310 | Fr. 189.31 |
500 | Fr. 1.85068 | Fr. 925.34 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 1.51200 | Fr. 1’512.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.28000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.54568 |