


IPB048N15N5LFATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB048N15N5LFATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB048N15N5LFATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB048N15N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB048N15N5LFATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 120 A (Tc) 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB048N15N5LFATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,8mohm a 100A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,9V a 255µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 84 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 380 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 313W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 5.40000 | Fr. 5.40 |
10 | Fr. 3.80200 | Fr. 38.02 |
100 | Fr. 3.01060 | Fr. 301.06 |
500 | Fr. 2.86248 | Fr. 1’431.24 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 2.89296 | Fr. 2’892.96 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.40000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.83740 |