IPB100N06S205ATMA4 è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 55 V 100 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB100N06S205ATMA4

Codice DigiKey
IPB100N06S205ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB100N06S205ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB100N06S205ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB100N06S205ATMA4
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 100 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
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Carica del gate (Qg) max a Vgs
170 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5110 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
4,7mohm a 80A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB80N06S2H5ATMA2Infineon Technologies0IPB80N06S2H5ATMA2CT-NDFr. 3.56000Consigliato dal produttore
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