IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPB100N06S205ATMA4
Codice DigiKey	IPB100N06S205ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB100N06S205ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB100N06S205ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB100N06S205ATMA4
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 100 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5110 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB100