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IPB100N06S205ATMA4 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB100N06S205ATMA4TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB100N06S205ATMA4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB100N06S205ATMA4DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB100N06S205ATMA4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 100 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5110 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2H5ATMA2 | Infineon Technologies | 0 | IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND | Fr. 3.56000 | Consigliato dal produttore |
| FDB045AN08A0 | onsemi | 294 | FDB045AN08A0CT-ND | Fr. 3.93000 | Simile |
| IXFA230N075T2-7 | IXYS | 288 | IXFA230N075T2-7-ND | Fr. 6.77000 | Simile |
| IXTA140N055T2 | IXYS | 0 | 238-IXTA140N055T2-ND | Fr. 1.39330 | Simile |
| IXTA170N075T2 | IXYS | 0 | IXTA170N075T2-ND | Fr. 1.82193 | Simile |









