PG-TO263-7-3
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IPB180P04P4L02ATMA2

Codice DigiKey
448-IPB180P04P4L02ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPB180P04P4L02ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB180P04P4L02ATMA2
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 40 V 180 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB180P04P4L02ATMA2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ P2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,4mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 410µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs (max)
+5V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
18700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-3
Contenitore/involucro
TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base
IPB180
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In magazzino: 11’538
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.42000Fr. 3.42
10Fr. 2.25300Fr. 22.53
100Fr. 1.58970Fr. 158.97
500Fr. 1.45068Fr. 725.34
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.18520Fr. 1’185.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.69702
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