Name: SIRS4401DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.83755 CHF
Availability: InStock

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SIRS4401DP-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRS4401DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRS4401DP-T1-GE3
Descrizione	P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 46,8A (Ta), 198A (Tc) 7,4W (Ta), 132W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 588 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21850 pF @ 20 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 7,4W (Ta), 132W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 46,8A (Ta), 198A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 20A, 10V	Codice componente base SIRS4401