


IPB60R199CPAATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB60R199CPAATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R199CPAATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 199mohm a 9,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 1,1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 43 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1520 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.41500 | Fr. 1’415.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.41500 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.52962 |




