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TO-263 (D2PAK)
TO-263 D2PAK

STB31N65M5

Codice DigiKey
497-13084-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB31N65M5
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 22 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB31N65M5 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
148mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1865 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB31
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.47350Fr. 1’473.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.47350
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.59285