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STB31N65M5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-13084-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STB31N65M5 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 22 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB31N65M5 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1865 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 148mohm a 11A, 10V |
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Sostituti (24)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 800 | 785-1539-1-ND | Fr. 4.40000 | Simile |
| AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9’892 | 785-1248-1-ND | Fr. 4.42000 | Simile |
| FCB110N65F | onsemi | 1’451 | FCB110N65FCT-ND | Fr. 6.48000 | Simile |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1’095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | Fr. 3.30000 | Simile |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 5’928 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | Fr. 3.91000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.75774 | Fr. 1’757.74 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.75774 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.90012 |
