


IPB65R095C7ATMA2 | |
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Codice DigiKey | IPB65R095C7ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB65R095C7ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB65R095C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R095C7ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB65R095C7ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 95mohm a 11,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 590µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2140 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 4.09000 | Fr. 4.09 |
10 | Fr. 2.95400 | Fr. 29.54 |
100 | Fr. 2.15340 | Fr. 215.34 |
500 | Fr. 2.09622 | Fr. 1’048.11 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 1.71696 | Fr. 1’716.96 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.09000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.42129 |