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IPB80N04S2H4ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPB80N04S2H4ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N04S2H4ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 148 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4400 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,7mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies | 592 | IRF1404STRLPBFCT-ND | Fr. 2.66000 | Simile |
| IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 4’122 | IRF1404ZSTRLPBFCT-ND | Fr. 2.16000 | Simile |
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | 100 | IRL1404STRLPBFCT-ND | Fr. 3.23000 | Simile |
| FDB8441 | onsemi | 783 | FDB8441CT-ND | Fr. 3.35000 | Diretto |
| STB120N4F6 | STMicroelectronics | 1’515 | 497-10768-1-ND | Fr. 2.16000 | Simile |
Obsoleto
