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IPB80N06S2H5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2H5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 155 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4400 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,2mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 230µA |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2H5ATMA2 | Infineon Technologies | 0 | IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND | Fr. 3.56000 | Diretto |
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | 1’496 | 497-4321-1-ND | Fr. 2.83000 | Diretto |
| STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics | 1’550 | 497-6558-1-ND | Fr. 2.88000 | Diretto |
| STB85NF55T4 | STMicroelectronics | 449 | 497-19647-1-ND | Fr. 2.66000 | Diretto |
| IXFA230N075T2 | IXYS | 0 | IXFA230N075T2-ND | Fr. 3.21510 | Simile |
In magazzino: 0
