IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPB90N06S404ATMA2 è obsoleto e non è più in produzione.

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IPB90N06S404ATMA2
Codice DigiKey	448-IPB90N06S404ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB90N06S404ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 90 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB90N06S404ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 128 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10400 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 90A, 10V	Codice componente base IPB90N06
Vgs(th) max a Id 4V a 90µA