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IPD30N03S2L10ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPD30N03S2L10ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N03S2L10ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 50µA |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | 4’397 | IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND | Fr. 1.85000 | Consigliato dal produttore |
| DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 2’500 | 31-DMN3010LK3-13CT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | Fr. 1.56000 | Simile |
Obsoleto
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