
IPD50N03S2L06ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N03S2L06ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50N03S2L06ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N03S2L06ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 50 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N03S2L06ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,4mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 85µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1900 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.90000 | Fr. 1.90 |
| 10 | Fr. 1.22600 | Fr. 12.26 |
| 100 | Fr. 0.83700 | Fr. 83.70 |
| 500 | Fr. 0.67092 | Fr. 335.46 |
| 1’000 | Fr. 0.61752 | Fr. 617.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.55975 | Fr. 1’399.38 |
| 5’000 | Fr. 0.55690 | Fr. 2’784.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.05390 |




