
IPD50N08S413ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD50N08S413ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD50N08S413ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD50N08S413ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N08S413ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 50 A (Tc) 72W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N08S413ATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1711 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 72W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-313 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 13,2mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 33µA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.67000 | Fr. 1.67 |
| 10 | Fr. 1.05900 | Fr. 10.59 |
| 100 | Fr. 0.70980 | Fr. 70.98 |
| 500 | Fr. 0.55986 | Fr. 279.93 |
| 1’000 | Fr. 0.51162 | Fr. 511.62 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.45940 | Fr. 1’148.50 |
| 5’000 | Fr. 0.42714 | Fr. 2’135.70 |
| 7’500 | Fr. 0.41071 | Fr. 3’080.33 |
| 12’500 | Fr. 0.39225 | Fr. 4’903.12 |
| 17’500 | Fr. 0.38132 | Fr. 6’673.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.80527 |




