Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 0.96209 CHF
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
Codice DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD60N10S4L12ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,1V a 46µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3170 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-313
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD60N10