Name: IPD60R2K1CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R2K1CEAUMA1TR-ND
Price: 0.74589 CHF
Availability: InStock

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IPD60R2K1CEAUMA1
Codice DigiKey	IPD60R2K1CEAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD60R2K1CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD60R2K1CEAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 2,3 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD60R2K1CEAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 60µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD60R
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1ohm a 760mA, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCD850N80Z	onsemi	17’987	488-FCD850N80ZCT-ND	Fr. 2.78000	Simile
STD3N62K3	STMicroelectronics	2’838	497-8478-1-ND	Fr. 1.29000	Simile
STD4NK60ZT4	STMicroelectronics	1’203	497-5889-1-ND	Fr. 1.85000	Simile
TSM4NB60CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4’863	TSM4NB60CPROGCT-ND	Fr. 1.28000	Simile

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