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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 60 V 18 A (Tc) 47W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD640N06LGBTMA1

Codice DigiKey
IPD640N06LGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD640N06LGBTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 18 A (Tc) 47W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD640N06LGBTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2V a 16µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
470 pF @ 30 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
47W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
64mohm a 18A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOD444Alpha & Omega Semiconductor Inc.67’358785-1108-1-NDFr. 0.90000Simile
DMN6068LK3-13Diodes Incorporated0DMN6068LK3-13DICT-NDFr. 0.77000Simile
NTD18N06LT4Gonsemi17’507NTD18N06LT4GOSCT-NDFr. 1.43000Simile
RFD12N06RLESM9Aonsemi4’483RFD12N06RLESM9ACT-NDFr. 1.35000Simile
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Obsoleto
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