Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile



IPD640N06LGBTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD640N06LGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD640N06LGBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 18 A (Tc) 47W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD640N06LGBTMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 16µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 470 pF @ 30 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 64mohm a 18A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD444 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 67’358 | 785-1108-1-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
| DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN6068LK3-13DICT-ND | Fr. 0.77000 | Simile |
| NTD18N06LT4G | onsemi | 17’507 | NTD18N06LT4GOSCT-ND | Fr. 1.43000 | Simile |
| RFD12N06RLESM9A | onsemi | 4’483 | RFD12N06RLESM9ACT-ND | Fr. 1.35000 | Simile |
| STD16NF06LT4 | STMicroelectronics | 11’925 | 497-4329-1-ND | Fr. 1.39000 | Simile |






