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IPD80R1K4CEBTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2,3A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | 2’486 | IPD80R1K4CEATMA1CT-ND | Fr. 1.50000 | Diretto |
| STD5N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-14982-1-ND | Fr. 1.40000 | Simile |
In magazzino: 0
