
IPG20N10S4L22AATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N10S4L22AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 20A 60W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TDSON-8-10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N10S4L22AATMA1 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 17A, 10V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 2,1V a 25µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1755pF a 25V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 60W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-10 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.99000 | Fr. 1.99 |
| 10 | Fr. 1.27500 | Fr. 12.75 |
| 100 | Fr. 0.86940 | Fr. 86.94 |
| 500 | Fr. 0.69594 | Fr. 347.97 |
| 1’000 | Fr. 0.64016 | Fr. 640.16 |
| 2’000 | Fr. 0.63646 | Fr. 1’272.92 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.54253 | Fr. 2’712.65 |
| 10’000 | Fr. 0.51998 | Fr. 5’199.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.15119 |





