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IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N10S4L22ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 20A 60W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N10S4L22ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,1V a 25µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1755pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 60W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-4 |
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 17A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 9’409
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.99000 | Fr. 1.99 |
| 10 | Fr. 1.27800 | Fr. 12.78 |
| 100 | Fr. 0.87200 | Fr. 87.20 |
| 500 | Fr. 0.69810 | Fr. 349.05 |
| 1’000 | Fr. 0.64218 | Fr. 642.18 |
| 2’000 | Fr. 0.63884 | Fr. 1’277.68 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.54431 | Fr. 2’721.55 |
| 10’000 | Fr. 0.52193 | Fr. 5’219.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.15119 |
