


IPG20N10S4L35ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPG20N10S4L35ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 20A 43W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPG20N10S4L35ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 20A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 35mohm a 17A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 16µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17,4nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1105pF a 25V | |
Potenza - Max | 43W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-TDSON-8-4 | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.55000 | Fr. 1.55 |
10 | Fr. 0.96600 | Fr. 9.66 |
100 | Fr. 0.66610 | Fr. 66.61 |
500 | Fr. 0.52822 | Fr. 264.11 |
1’000 | Fr. 0.49205 | Fr. 492.05 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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5’000 | Fr. 0.40200 | Fr. 2’010.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.55000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.67555 |