
IPN50R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN50R1K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN50R1K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN50R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN50R1K4CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 4,8 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN50R1K4CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 13V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,4ohm a 900mA, 13V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 70µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 178 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.27000 | Fr. 0.27 |
| 10 | Fr. 0.20000 | Fr. 2.00 |
| 100 | Fr. 0.15910 | Fr. 15.91 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.11914 | Fr. 357.42 |
| 6’000 | Fr. 0.11832 | Fr. 709.92 |
| 9’000 | Fr. 0.11750 | Fr. 1’057.50 |
| 15’000 | Fr. 0.11629 | Fr. 1’744.35 |
| 21’000 | Fr. 0.11588 | Fr. 2’433.48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.27000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.29187 |











