IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3

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IPP65R150CFDAAKSA1
Codice DigiKey	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP65R150CFDAAKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP65R150CFDAAKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2340 pF @ 100 V
Confezionamento Tubo	Dissipazione di potenza (max) 195,3W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22,4 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-220-3
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 9,3A, 10V	Codice componente base IPP65R150
Vgs(th) max a Id 4,5V a 900µA

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPP65R145CFD7AAKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPP65R145CFD7AAKSA1-ND	Fr. 1.63636	Consigliato dal produttore
FCP165N60E	onsemi	1’034	FCP165N60E-ND	Fr. 4.05000	Simile
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SIHP22N60E-E3	Vishay Siliconix	861	742-SIHP22N60E-E3-ND	Fr. 4.14000	Simile
STP24N60M2	STMicroelectronics	0	497-13556-5-ND	Fr. 2.89000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.99000	Fr. 4.99
50	Fr. 2.59680	Fr. 129.84
100	Fr. 2.36570	Fr. 236.57

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