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SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP18N60E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP18N60E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP18N60E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 92 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 179W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 202mohm a 9A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 23 | TK17E65WS1X-ND | Fr. 4.04000 | Diretto |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | Fr. 2.04182 | Simile |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | Fr. 3.31000 | Simile |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Simile |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1’480 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | Fr. 4.73000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.34362 | Fr. 1’343.62 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.34362 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.45245 |
