IPP65R150CFDXKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Equivalente parametrico


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Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
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IPP65R150CFDXKSA1

Codice DigiKey
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IPP65R150CFDXKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 900µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
86 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2340 pF @ 100 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
195,3W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
150mohm a 9,3A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (12)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPP65R150CFDXKSA2Infineon Technologies0448-IPP65R150CFDXKSA2-NDFr. 3.58000Equivalente parametrico
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-NDFr. 5.93000Simile
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-NDFr. 4.99000Simile
FCP165N60Eonsemi1’034488-FCP165N60E-NDFr. 4.05000Simile
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-NDFr. 5.36000Simile
Obsoleto
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