Equivalente parametrico
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IPP65R150CFDXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPP65R150CFDXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP65R150CFDXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 900µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2340 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 195,3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 9,3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND | Fr. 3.58000 | Equivalente parametrico |
| FCP110N65F | onsemi | 765 | FCP110N65FOS-ND | Fr. 5.93000 | Simile |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | Fr. 4.99000 | Simile |
| FCP165N60E | onsemi | 1’034 | 488-FCP165N60E-ND | Fr. 4.05000 | Simile |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | Fr. 5.36000 | Simile |









