SIHP24N65E-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 5.36000
Scheda tecnica

Simile


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 3’057
Prezzo unitario : Fr. 4.42000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 765
Prezzo unitario : Fr. 5.93000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 776
Prezzo unitario : Fr. 4.99000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 499
Prezzo unitario : Fr. 4.13000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 257
Prezzo unitario : Fr. 4.57000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 37
Prezzo unitario : Fr. 3.31000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 6.58000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 257
Prezzo unitario : Fr. 4.99000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.16100
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 5
Prezzo unitario : Fr. 4.91000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 900
Prezzo unitario : Fr. 4.34000
Scheda tecnica
Canale N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante TO-220AB
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SIHP24N65E-GE3

Codice DigiKey
SIHP24N65E-GE3-ND
Produttore
Codice produttore
SIHP24N65E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIHP24N65E-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
122 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2740 pF @ 100 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
145mohm a 12A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (22)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-NDFr. 5.36000Equivalente parametrico
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3’057785-1252-5-NDFr. 4.42000Simile
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-NDFr. 5.93000Simile
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-NDFr. 4.99000Simile
FCP22N60Nonsemi0FCP22N60N-NDFr. 0.00000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 5.36000Fr. 5.36
10Fr. 3.60100Fr. 36.01
100Fr. 2.60580Fr. 260.58
500Fr. 2.18180Fr. 1’090.90
1’000Fr. 2.04572Fr. 2’045.72
2’000Fr. 1.99619Fr. 3’992.38
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 5.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.79416