Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.06456 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPT015N10NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT015N10NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT015N10NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 150A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,8V a 267µA
Serie StrongIRFET™ 2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 242 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35A (Ta), 315A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-10
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN