Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.70235 CHF
Availability: InStock

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IPT026N12NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT026N12NM6ATMA1
Descrizione	IPT026N12NM6ATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 23A (Ta), 224A (Tc) 3W (Ta), 283W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT026N12NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 115A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,6V a 169µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 88 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 60 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 283W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23A (Ta), 224A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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In magazzino: 1’285

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.50932	Fr. 3’018.64

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.70235

IPT026N12NM6ATMA1