Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.46986 CHF
Availability: InStock

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IPT017N12NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT017N12NM6ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 275µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 141 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 60 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 395W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29A (Ta), 331A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Codice componente base IPT017
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 150A, 10V