Name: IPTC019N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPTC019N10NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IPTC019N10NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTC019N10NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTC019N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTC019N10NM5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 31A (Ta), 279A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPTC019N10NM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3.8V a 210µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 160 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12000 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31A (Ta), 279A (Tc)	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPTC019N
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 100A, 10V