Name: TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R306NH1LQTR-ND
Price: 2.06471 CHF
Availability: InStock

Canale N 60 V 136 A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)

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TPH2R306NH1,LQ
Codice DigiKey	264-TPH2R306NH1LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH2R306NH1LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH2R306NH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH2R306NH1,LQ
Descrizione	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 136 A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 50A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6100 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta), 170W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 136 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN