
IPW60R190C6FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPW60R190C6FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW60R190C6FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW60R190C6FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 630µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 9,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW28N60DM2 | STMicroelectronics | 551 | 497-16350-5-ND | Fr. 3.97000 | Diretto |
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | Fr. 5.14000 | Simile |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Simile |
| IXFH36N60P | IXYS | 554 | IXFH36N60P-ND | Fr. 12.41000 | Simile |
| IXFH42N60P3 | IXYS | 0 | IXFH42N60P3-ND | Fr. 10.76000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.39000 | Fr. 4.39 |
| 30 | Fr. 2.43033 | Fr. 72.91 |
| 120 | Fr. 2.00025 | Fr. 240.03 |
| 510 | Fr. 1.68449 | Fr. 859.09 |
| 1’020 | Fr. 1.56925 | Fr. 1’600.63 |
| 2’010 | Fr. 1.47432 | Fr. 2’963.38 |
| 5’010 | Fr. 1.36955 | Fr. 6’861.45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.74559 |



