
IPW60R190C6FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPW60R190C6FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW60R190C6FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW60R190C6FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 630µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 9,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW28N60DM2 | STMicroelectronics | 553 | 497-16350-5-ND | Fr. 3.97000 | Diretto |
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | Fr. 5.14000 | Simile |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | Fr. 5.82000 | Simile |
| IXFH36N60P | IXYS | 565 | IXFH36N60P-ND | Fr. 11.14000 | Simile |
| IXFH42N60P3 | IXYS | 0 | IXFH42N60P3-ND | Fr. 9.67000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.75000 | Fr. 3.75 |
| 30 | Fr. 2.08067 | Fr. 62.42 |
| 120 | Fr. 1.71217 | Fr. 205.46 |
| 510 | Fr. 1.44192 | Fr. 735.38 |
| 1’020 | Fr. 1.34329 | Fr. 1’370.16 |
| 2’010 | Fr. 1.26202 | Fr. 2’536.66 |
| 5’010 | Fr. 1.23735 | Fr. 6’199.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.05375 |



