
FCH190N65F-F155 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCH190N65F-F155-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCH190N65F-F155 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 30 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCH190N65F-F155 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 2mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 78 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3225 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 10A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | Fr. 4.52000 | Diretto |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | Fr. 3.60000 | Simile |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 88 | IPW60R190E6FKSA1-ND | Fr. 3.50000 | Simile |
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | Fr. 6.33000 | Simile |
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | 1 | R6024KNZ1C9-ND | Fr. 3.42000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.82000 | Fr. 5.82 |
| 10 | Fr. 3.93900 | Fr. 39.39 |
| 450 | Fr. 2.45000 | Fr. 1’102.50 |
| 900 | Fr. 2.43662 | Fr. 2’192.96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.29142 |

