Name: IPW60R190E6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R190E6FKSA1-ND
Price: 3.7835 CHF
Availability: InStock

Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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IPW60R190E6FKSA1
Codice DigiKey	IPW60R190E6FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW60R190E6FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW60R190E6FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 630µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 100 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,2 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW60R190
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 9,5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPW60R180P7XKSA1-ND	Fr. 3.01000	Consigliato dal produttore
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	Fr. 5.82000	Simile
IXFH50N60P3	IXYS	357	238-IXFH50N60P3-ND	Fr. 9.57000	Simile
IXFR48N60Q3	IXYS	0	IXFR48N60Q3-ND	Fr. 19.29077	Simile
SIHG22N60E-E3	Vishay Siliconix	500	SIHG22N60E-E3-ND	Fr. 4.45000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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